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PubPharm (23)
1
ReS2 Charge Trapping Synaptic Device for Face Recognition Application
enthalten in:
Nanoscale research letters
| 2020
von
Fan, Z.
|
Zhang, M.
|
Gan, L.
| +4
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2
Atomic Layer Deposited Hf0.5Zr0.5O2-based Flexible Memristor with Short/Long-Term Synaptic Plasticity
enthalten in:
Nanoscale research letters
| 2019
von
Wang, T.
|
Meng, J.
|
He, Z.
| +5
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3
Plasma-Enhanced Atomic Layer Deposition of Cobalt Films Using Co(EtCp)2 as a Metal Precursor
enthalten in:
Nanoscale research letters
| 2019
von
Zhu, B.
|
Ding, Z.
|
Wu, X.
| +3
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4
Dielectric Enhancement of Atomic Layer-Deposited Al2O3/ZrO2/Al2O3 MIM Capacitors by Microwave Annealing
enthalten in:
Nanoscale research letters
| 2019
von
Zhu, B.
|
Wu, X.
|
Liu, W.
| +3
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5
Atomic Layer-Deposited HfAlOx-Based RRAM with Low Operating Voltage for Computing In-Memory Applications
enthalten in:
Nanoscale research letters
| 2019
von
He, Z.
|
Wang, T.
|
Chen, L.
| +4
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6
Investigation of Energy Band at Atomic-Layer-Deposited ZnO/β-Ga2O3 ([Formula : see text]) Heterojunctions
enthalten in:
Nanoscale research letters
| 2018
von
Sun, S.
|
Liu, W.
|
Xiao, Y.
| +4
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7
Recent Advances in β-Ga2O3-Metal Contacts
enthalten in:
Nanoscale research letters
| 2018
von
Huan, Y.
|
Sun, S.
|
Gu, C.
| +5
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8
Atomic-Layer-Deposition of Indium Oxide Nano-films for Thin-Film Transistors
enthalten in:
Nanoscale research letters
| 2018
von
Ma, Q.
|
Zheng, H.
|
Shao, Y.
| +4
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9
Effects of Post Annealing Treatments on the Interfacial Chemical Properties and Band Alignment of AlN/Si Structure Prepared by Atomic Layer Deposition
enthalten in:
Nanoscale research letters
| 2017
von
Sun, L.
|
Lu, H.
|
Chen, H.
| +7
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10
Direct Growth of Al2O3 on Black Phosphorus by Plasma-Enhanced Atomic Layer Deposition
enthalten in:
Nanoscale research letters
| 2017
von
Wu, B.
|
Zheng, H.
|
Ding, Y.
| +7
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Nanoscale research letters
Thema
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Journal Article
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Atomic layer deposition
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ALD
2
Contacts
2
Low deposition temperature
2
β-Ga2O3
1
2DEG
1
Al2O3
1
Al2O3/ZrO2/Al2O3
1
AlGaN/GaN HEMT
1
Artificial neural network
1
Band alignment
1
Bandgap
1
Black phosphorus
1
Capacitance density
1
Charge trapping memory
1
Co films
1
Computing in-memory
1
Ellipsometry
1
Energy storage
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Erscheinungszeitraum
1
2020-
22
2010-2019
Erscheinungsjahr(e)
Von:
Bis:
Sprache
23
Englisch
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