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topic_facet:"B82Y: Specific uses or applications of nanostructures; measurement or analysis of nanostructures; manufacture or treatment of nanostructures"
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PubPharm (19)
1
NANOWIRE TRANSISTOR WITH SOURCE AND DRAIN INDUCED BY ELECTRICAL CONTACTS WITH NEGATIVE SCHOTTKY BARRIER HEIGHT
enthalten in:
Europäisches Patentamt
| 2023
von
CLIFTON PAUL A
|
GOEBEL ANDREAS
|
HARRISON WALTER A
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2
Nanowire transistor with source and drain induced by electrical contacts with negative Schottky barrier height
enthalten in:
Europäisches Patentamt
| 2022
von
CLIFTON PAUL A
|
GOEBEL ANDREAS
|
HARRISON WALTER A
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3
NANOWIRE TRANSISTOR WITH SOURCE AND DRAIN INDUCED BY ELECTRICAL CONTACTS WITH NEGATIVE SCHOTTKY BARRIER HEIGHT
enthalten in:
Europäisches Patentamt
| 2021
von
CLIFTON PAUL A
|
GOEBEL ANDREAS
|
HARRISON WALTER A
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4
Nanowire transistor with source and drain induced by electrical contacts with negative Schottky barrier height
enthalten in:
Europäisches Patentamt
| 2020
von
CLIFTON PAUL A
|
GOEBEL ANDREAS
|
HARRISON WALTER A
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5
NANOWIRE TRANSISTOR WITH SOURCE AND DRAIN INDUCED BY ELECTRICAL CONTACTS WITH NEGATIVE SCHOTTKY BARRIER HEIGHT
enthalten in:
Europäisches Patentamt
| 2020
von
CLIFTON PAUL A
|
GOEBEL ANDREAS
|
HARRISON WALTER A
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6
Nanowire transistor with source and drain induced by electrical contacts with negative Schottky barrier height
enthalten in:
Europäisches Patentamt
| 2019
von
CLIFTON PAUL A
|
GOEBEL ANDREAS
|
HARRISON WALTER A
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7
Nanodrahttransistor mit Source und Drain induziert durch elektrische Kontakte mit negativer Schottky-Barrierenhöhe
enthalten in:
Europäisches Patentamt
| 2019
von
CLIFTON PAUL A
|
GOEBEL ANDREAS
|
HARRISON WALTER A
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8
TENSILE STRAINED SEMICONDUCTOR PHOTON EMISSION AND DETECTION DEVICES AND INTEGRATED PHOTONICS SYSTEM
enthalten in:
Europäisches Patentamt
| 2019
von
CLIFTON PAUL A
|
GOEBEL ANDREAS
|
GAINES R STOCKTON
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9
TENSILE STRAINED SEMICONDUCTOR PHOTON EMISSION AND DETECTION DEVICES AND INTEGRATED PHOTONICS SYSTEM
enthalten in:
Europäisches Patentamt
| 2019
von
CLIFTON PAUL A
|
GOEBEL ANDREAS
|
GAINES R STOCKTON
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10
NANOWIRE TRANSISTOR WITH SOURCE AND DRAIN INDUCED BY ELECTRICAL CONTACTS WITH NEGATIVE SCHOTTKY BARRIER HEIGHT
enthalten in:
Europäisches Patentamt
| 2019
von
CLIFTON PAUL A
|
GOEBEL ANDREAS
|
HARRISON WALTER A
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H01S: Devices using the process of light amplif...
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Erscheinungszeitraum
5
2020-
14
2010-2019
Erscheinungsjahr(e)
Von:
Bis:
Sprache
18
Englisch
1
Deutsch
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