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PubPharm (21)
1
InP/GaAsSb/InP and InP/GaAsSb/InGaAsP double heterojunction bipolar transistors with a carbon-doped base grown by organometallic chemical vapor deposition
in:
Applied Physics Letters
| 1996
von
Bhat, R.
|
Hong, W.
|
Caneau, C.
| +3
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2
Quasi-phase-matched second-harmonic generation in AlGaAs waveguides with periodic domain inversion achieved by wafer-bonding
in:
Applied Physics Letters
| 1995
von
Yoo, S.
|
Bhat, R.
|
Caneau, C.
| +1
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3
Structure of (001) GaAs surfaces during epitaxial growth by organometallic chemical vapor deposition
in:
Applied Physics Letters
| 1993
von
Kamiya, I.
|
Tanaka, H.
|
Aspnes, D.
| +2
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4
Carrier capture and quantum confinement in GaAs/AlGaAs quantum wire lasers grown on V-grooved substrates
in:
Applied Physics Letters
| 1992
von
Walther, M.
|
Kapon, E.
|
Christen, J.
| +2
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5
Nearly ideal InP/In0.53Ga0.47As heterojunction regrowth on chemically prepared In0.53Ga0.47As surfaces
in:
Applied Physics Letters
| 1992
von
Yablonovitch, E.
|
Bhat, R.
|
Zah, C.
| +2
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6
Arsenic dimers and multilayers on (001)GaAs surfaces in atmospheric pressure organometallic chemical vapor deposition
in:
Applied Physics Letters
| 1992
von
Kamiya, I.
|
Tanaka, H.
|
Aspnes, D.
| +4
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7
In situ determination of free-carrier concentrations by reflectance difference spectroscopy
in:
Applied Physics Letters
| 1991
von
Tanaka, H.
|
Colas, E.
|
Kamiya, I.
| +2
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8
Very low threshold current density 1.5 μm GaInAs/AlGaInAs graded-index separate-confinement-heterostructure strained quantum well laser diodes grown by organometallic chemical vapor deposition
in:
Applied Physics Letters
| 1991
von
Kasukawa, A.
|
Bhat, R.
|
Zah, C.
| +2
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9
Novel etching technique for a buried heterostructure GaInAs/AlGaInAs quantum-well laser diode
in:
Applied Physics Letters
| 1991
von
Kasukawa, A.
|
Bhat, R.
|
Caneau, C.
| +3
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10
Effects of in situ treatment on InGaAs/InP heterointerfaces produced by organometallic chemical vapor deposition regrowth
in:
Journal of Applied Physics
| 1991
von
Hong, W.
|
Caneau, C.
|
Hayes, J.
| +6
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Erscheinungszeitraum
15
1990-1999
6
1980-1989
Erscheinungsjahr(e)
Von:
Bis:
Sprache
21
Englisch
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