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/vufind/Search/Results?filter%5B%5D=format_facet%3A%22Elektronische+Aufs%C3%A4tze%22&filter%5B%5D=topic_facet%3A%22CHEMICAL+VAPOR+DEPOSITION%22&lookfor=%22Banerjee%2C+S%22&type=Person
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PubPharm (7)
1
Room-temperature measurements of strong electroabsorption effect in GexSi1−x/Si multiple quantum wells grown by remote plasma-enhanced chemical vapor deposition
in:
Applied Physics Letters
| 1993
von
Murtaza, S.
|
Qian, R.
|
Kinosky, D.
| +4
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2
Epitaxial silicon growth conditions and kinetics in low-temperature ArF excimer laser photochemical-vapor deposition from disilane
in:
Journal of Applied Physics
| 1992
von
Fowler, B.
|
Lian, S.
|
Krishnan, S.
| +5
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3
Low-temperature growth of GexSi1−x/Si heterostructures on Si(100) by remote plasma-enhanced chemical vapor deposition
in:
Applied Physics Letters
| 1991
von
Kinosky, D.
|
Qian, R.
|
Irby, J.
| +6
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4
ArF excimer laser induced photolytic growth of Si homoepitaxial films from Si2H6 at 330 °C
in:
Applied Physics Letters
| 1991
von
Lian, S.
|
Fowler, B.
|
Bullock, D.
| +1
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5
Enhancement of boron diffusion through gate oxides in metal-oxide-semiconductor devices under rapid thermal silicidation
in:
Applied Physics Letters
| 1991
von
Lin, J.
|
Park, K.
|
Batra, S.
| +3
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6
Crystallographic characterization of GexSi1−x/Si superlattices grown by remote plasma-enhanced chemical vapor deposition
in:
Journal of Applied Physics
| 1991
von
Qian, R.
|
Anthony, B.
|
Hsu, T.
| +6
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7
Homoepitaxial films grown on Si (100) at 150 °C by remote plasma-enhanced chemical vapor deposition
in:
Applied Physics Letters
| 1989
von
Breaux, L.
|
Anthony, B.
|
Hsu, T.
| +2
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Erscheinungszeitraum
6
1990-1999
1
1980-1989
Erscheinungsjahr(e)
Von:
Bis:
Sprache
7
Englisch
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