적층 스택을 갖는 금속-절연체-금속(MIM) 에너지 저장장치 및 제조 방법
본 발명에 따른 MIM 에너지 저장장치는 하부 전극; 복수의 전기 전도성 수직 나노구조체; 복수의 전기 전도성 수직 나노구조체 내의 각 나노구조체를 컨포멀하게 코팅하는 하부 전도-제어층; 및 교번하는 전도-제어층 및 하부 전도-제어층을 컨포멀하게 코팅하는 전극층의 적층 스택을 포함하고, 상기 적층 스택은 적층 스택의 하부에 적어도 하나의 제1 홀수번째 전극층, 제1 홀수번째 전극층 바로 위에 제1 홀수번째 전도-제어층 및 제1 홀수 전도-제어층 바로 위에 제1 짝수번째 전극층을 포함한다. 적층 스택의 각 짝수번째 전극층은 하부 전극에 전기 전도적으로 연결되며; 적층 스택의 각 홀수번째 전극층은 적층 스택의 임의의 다른 홀수번째 전극층에 전기 전도적으로 연결된다..
| Medienart: |
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Patent| Erscheinungsjahr: |
2023 |
|---|---|
| Erschienen: |
2023 |
| Enthalten in: |
Europäisches Patentamt - (2023) vom: 05. Jan. Zur Gesamtaufnahme - year:2023 |
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| Sprache: |
Koreanisch |
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| Beteiligte Personen: |
KABIR M SHAFIQUL [VerfasserIn] |
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| Links: |
Volltext [kostenfrei] |
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| Anmerkungen: |
Source: www.epo.org (no modifications made), First posted: 2023-01-05, Last update posted on www.tib.eu: 2024-04-16, Last updated: 2024-04-19 |
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| Patentnummer: |
KR20230002353 |
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| Förderinstitution / Projekttitel: |
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| PPN (Katalog-ID): |
EPA003355357 |
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| 520 | |a 본 발명에 따른 MIM 에너지 저장장치는 하부 전극; 복수의 전기 전도성 수직 나노구조체; 복수의 전기 전도성 수직 나노구조체 내의 각 나노구조체를 컨포멀하게 코팅하는 하부 전도-제어층; 및 교번하는 전도-제어층 및 하부 전도-제어층을 컨포멀하게 코팅하는 전극층의 적층 스택을 포함하고, 상기 적층 스택은 적층 스택의 하부에 적어도 하나의 제1 홀수번째 전극층, 제1 홀수번째 전극층 바로 위에 제1 홀수번째 전도-제어층 및 제1 홀수 전도-제어층 바로 위에 제1 짝수번째 전극층을 포함한다. 적층 스택의 각 짝수번째 전극층은 하부 전극에 전기 전도적으로 연결되며; 적층 스택의 각 홀수번째 전극층은 적층 스택의 임의의 다른 홀수번째 전극층에 전기 전도적으로 연결된다. | ||
| 650 | 4 | |a H01L: Semiconductor devices; electric solid state devices not otherwise provided for (use of semiconductor devices for measuring g01;resistors in general h01c;magnets, inductors, transformers h01f;capacitors in general h01g;electrolytic devices h01g0009000000;batteries, accumulators h01m;waveguides, resonators, or lines of the waveguide type h01p;line connectors, current collectors h01r;stimulated-emission devices h01s;electromechanical resonators h03h;loudspeakers, microphones, gramophone pick-ups or like acoustic electromechanical transducers h04r;electric light sources in general h05b;printed circuits, hybrid circuits, casings or constructional details of electrical apparatus, manufacture of assemblages of electrical components h05k;use of semiconductor devices in circuits having a particular application, see the subclass for the application) | |
| 650 | 4 | |a H05K: Printed circuits; casings or constructional details of electric apparatus; manufacture of assemblages of electrical components | |
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| 650 | 4 | |a H01G: Capacitors; capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices of the electrolytic type (selection of specified materials as dielectric h01b0003000000;capacitors with potential-jump or surface barrier h01l0029000000) | |
| 650 | 4 | |a B82Y: Specific uses or applications of nanostructures; measurement or analysis of nanostructures; manufacture or treatment of nanostructures | |
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